Поиск datasheet электронных компонентов

Поиск по: памяти

24 предложений от 19 поставщиков
Реле напряжения CP-721-1 (однофазное; цифровая индикация; напряжение питания 50-450В контакт 1NO 63А встроен. таймер регистрация аварий в памяти индикация текущего напряжения) (аналог УЗМ) F&F EA04.009.013

Информация по: памяти

  • Micron Technology приступила к опытному производству микросхем флэш-памяти с многоуровневыми ячейками объемом 128 Mб
    Micron Technology объявила о начале опытного производства микросхем флэш-памяти с многоуровневыми ячейками емкостью 128 Мбит. Новые микросхемы получили фирменное название Q-Flash. Micron уже поставляет данные чипы емкостью 32 и 64 Мбит, которые кстати полностью совместимы по контактам и функциям с чипами StrataFlash компании Интел. Главной особенностью Q-Flash является использование многоуровневых ячеек памяти. Такие ячейки способны хранить сразу несколько бит информации, которые кодируются ...
  • Atmel стандартизирует имитационные модели производства Denali Software Inc. для внутрисистемной интеграции своих продуктов на основе FLASH памяти
    Atmel присоединяется к партнерской программе производителей памяти Denali Software Inc. для сокращения времени вхождения на рынок для своих продуктов на основе FLASH памяти и интеграции их при разработке систем. Atmel Corporation, лидирующий поставщик для решений на уровне системной интеграции, и Denali Software Inc., лидер в области дизайна систем памяти и верификации, объявили о том, что Atmel присоединилась к программе Denali Software Inc. партнеров производителей памяти. В рамках этого ...
  • Micron Technology демонстрирует первые чипы памяти 1 Гб DDR SDRAM, выполненные по 0,11мкм техпроцессу
    Micron лидирует в разработке технологий чипов памяти следующего поколения и их производстве 23 декабря, 2002г. - Micron Technology, Inc., продемонстрировала первые чипы 1 Гигабит (Gb) синхронной динамической памяти (SDRAM) с удвоенной скоростью обмена данными (DDR), выполненные по 0,11 мкм техпроцессу. Чипы 1 Гб DDR SDRAM с напряжением питания 2,5В производятся в 400 mil(0,4 дюйма) TSOP корпусах и соответствуют передовым требованиям по пропускной способности для DDR SDRAM систем памяти. Micron ...

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники