|
Поиск datasheet (техническая документация) на электронные компоненты (микросхемы, транзисторы, диоды и др.) |
Поиск по: 0168
Искать " 0168" в других поисковых системах: Google0168Информация по: 0168- Datasheet SI1051X-T1-GE3 - Vishay Даташит P CHANNEL полевой транзистор, -8 В, 1.2 А, SC-89
Наименование модели: SI1051X-T1-GE3 Производитель: Vishay Описание: P CHANNEL полевой транзистор, -8 В, 1.2 А, SC-89 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: Si1051X Vishay Siliconix P-Channel 8 V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) RDS(on) () 0.122 at VGS = - 4.5 V -8 0.141 at VGS = - 2.5 V 0.168 at VGS = - 1.8 V 0.198 at VGS = - 1.5 V ID (A)a 1.2 1.1 0.60 0.50 Qg (Typ.) RoHS: есть - Datasheet FDMA420NZ - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N CH, 20 В, 5.7 А, MICROFET2X2
.. N CH, 20 В, 5.7 А, MICROFET2X2 Скачать Data Sheet Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 5.7 А Drain Source Voltage Vds: 20 В On Resistance Rds(on): 0.0168 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В Threshold Voltage Vgs Typ: 830 мВ Рассеиваемая мощность: 2.4 Вт Рабочий диапазон температрур: -55°C .. +150°C Корпус транзистора: ... - Datasheet STB24NM60N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 17 А, D2PAK
Наименование модели: STB24NM60N Производитель: STMicroelectronics Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 17 А, D2PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: STB24NM60N N-channel 600 V, 0.168 17 A MDmeshTM II Power MOSFET , DІPAK Features Order codes STB24NM60N VDSS (@Tjmax) 650 V Спецификации: Continuous Drain Current Id: 17 А Drain Source Voltage Vds: 600 В On Resistance Rds(on): 0.168 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В Влагостойкость: MSL 1 - ...
|