Поиск datasheet электронных компонентов
  en

Поиск по: 13N50

51 предложений от 32 поставщиков
Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные

Информация по: 13N50

  • Datasheet FQP13N50C - Fairchild Даташит Транзистор, полевой транзистор
    Наименование модели: FQP13N50C Производитель: Fairchild Описание: Транзистор, полевой транзистор Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: FQP13N50C/FQPF13N50C QFET FQP13N50C/FQPF13N50C 500V N-Channel MOSFET General Description Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 13 А Drain Source Voltage Vds: 500 В On Resistance Rds(on): 480 МОм Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Voltage Vgs Max: 4 В Рабочий диапазон температрур: -55°C .. +150°C Корпус транзистора: ...
  • Datasheet ZXT13N50DE6 - Diodes Даташит Транзистор, NPN, SOT23-6
    Наименование модели: ZXT13N50DE6 Производитель: Diodes Описание: Транзистор, NPN, SOT23-6 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: ZXT13N50DE6 SuperSOT4TM 50V NPN SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR SUMMARY VCEO=50V; RSAT = 36m ; IC= 4A DESCRIPTION This new 4th generation ultra low saturation transistor utilises the Zetex matrix structure combined with advanced assembly techniques to give extremely low on state losses. This makes it ideal for high efficiency, low voltage ...
  • Datasheet FQP13N50 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N TO-220 лампа 50
    Наименование модели: FQP13N50 Производитель: Fairchild Описание: Полевой транзистор, N TO-220 лампа 50 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: FQP13N50/FQPF13N50 QFET FQP13N50/FQPF13N50 500V N-Channel MOSFET General Description Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 12.5 А Drain Source Voltage Vds: 500 В On Resistance Rds(on): 430 МОм Корпус транзистора: TO-220 Количество выводов: 3 SVHC: No SVHC (15-Dec-2010) Альтернативный тип корпуса: SOT-78B ...

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники