Наименование модели: HGTG20N60C3D Производитель: Fairchild Описание: IGBT, N Скачать Data Sheet Спецификации: Тип транзистора: IGBT DC Collector Current: 45 А Max Voltage Vce Sat: 1.8 В Max Power Dissipation: 164 Вт Collector-to-Emitter Breakdown Voltage: 600 В Корпус транзистора: TO-247 Количество выводов: 3 Корпус: TO-247 Max Current Ic Continuous a: 300 А Power Dissipation: 164 Вт Termination Type: Through Hole Полярность транзистора: N Channel Voltage Vces: 600 В RoHS: есть Дополнительные ...
Наименование модели: SPA20N60C3 Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, N, COOLMOS, TO-220 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SPP20N60C3, SPB20N60C3 SPI20N60C3, SPA20N60C3 Cool MOSTM Power Transistor Feature · New revolutionary high voltage technology · Worldwide best R DS(on) in TO 220 · Ultra low gate charge · Periodic avalanche rated · Extreme dv/dt rated · High peak current capability · Improved transconductance · P-TO-220-3-31: Fully isolated package (2500 VAC; ...
Наименование модели: SPB20N60C3 Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, N, COOLMOS, D2-PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: VDS Tjmax · · · · · · G 3 G Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 20.7 А Drain Source Voltage Vds: 650 В On Resistance Rds(on): 190 МОм Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Voltage Vgs Max: 3 В Рабочий диапазон температрур: -55°C .. +150°C Корпус транзистора: D2-PAK Количество выводов: 3 Current Id Max: 20.7 ...