Поиск datasheet электронных компонентов
  en

Поиск по: 2N4416A

33 предложений от 22 поставщиков
VISHAY SILICONIX 2N4416A-E3 JFET Transistor, JFET, -36 V, 5 mA, 15 mA, -6 V, TO-206AF, JFET

Информация по: 2N4416A

  • Datasheet 2N4416A-E3 - Vishay Даташит Транзистор, JFET, N CH, 5 А, TO-72
    Наименование модели: 2N4416A-E3 Производитель: Vishay Описание: Транзистор, JFET, N CH, 5 А, TO-72 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: 2N4416/2N4416A/SST4416 Vishay Siliconix N-Channel JFETs PRODUCT SUMMARY Part Number Спецификации: Тип транзистора: JFET Breakdown Voltage Vbr: -36 В Zero Gate Voltage Drain Current Idss: 5 мА .. 15 мА Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: -6 В Рассеиваемая мощность: 300 мВт Рабочий диапазон температрур: -55°C .. +150°C Корпус транзистора: ...
  • Datasheet SST4416-E3 - Vishay Даташит JFET
    Наименование модели: SST4416-E3 Производитель: Vishay Описание: JFET Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: 2N4416/2N4416A/SST4416 Vishay Siliconix N-Channel JFETs PRODUCT SUMMARY Part Number Спецификации: Полярность транзистора: N Channel RoHS: есть
  • Простое устройство для измерения параметров полевых транзисторов с управляющим p-n переходом
    Журнал РАДИОЛОЦМАН, июнь 2012 При работе с дискретными полевыми транзисторами с управляющим p-n переходом (JFET) иногда приходится принимать во внимание значительный разброс параметров у приборов одного типа. Передаточная характеристика JFET обычно аппроксимируется квадратичной функцией: I D = β(V GS −V P ) 2 , где I D ток стока, V GS напряжение затвор-исток, β крутизна характеристики, V P напряжение отсечки. Исходя из этой аппроксимации, начальный ток стока при нулевом ...

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники