Наименование модели: 2N5551 Производитель: Fairchild Описание: Транзистор, NPN, TO-92 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: 2N5551- MMBT5551 NPN General Purpose Amplifier April 2006 2N5551- MMBT5551 NPN General Purpose Amplifier Features Спецификации: Полярность транзистора: NPN Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 160 В Gain Bandwidth ft Typ: 300 МГц Power Dissipation Pd: 625 мВт DC Collector Current: 600 мА Рабочий диапазон температрур: -55°C .. +150°C Корпус транзистора: TO-92 ...
Наименование модели: 2N5551 Производитель: Multicomp Описание: Биполярный транзистор, NPN, 180 В TO-92 Спецификации: Полярность транзистора: NPN Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 180 В Transition Frequency Typ ft: 300 МГц Power Dissipation Pd: 625 мВт DC Collector Current: 600 мА DC Current Gain Max (hfe): 80 RoHS: есть Дополнительные аксессуары: ON Semiconductor - 2N5551RLRAG ...
Наименование модели: 2N5551 Производитель: NXP Описание: Транзистор, NPN, SOT-54 Спецификации: Полярность транзистора: NPN Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 160 В Частота единичного усиления типовая: 300 МГц Корпус транзистора: SOT-54 Количество выводов: 3 SVHC: No SVHC (18-Jun-2010) Collector Emitter Voltage Vces: 200 мВ Ток коллектора постоянный максимальный: 300 мА Current Ic @ Vce Sat: 50 мА Current Ic Continuous a Max: 300 мА DC Current Gain: 10 мА Full Power Rating Temperature: 25°C ...