Наименование модели: 2N5884 Производитель: Multicomp Описание: Транзистор, PNP TO-3 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: 2N5884 & 2N5886 Complementary Power Transistors General-purpose power amplifier and switching applications. Features: · Low Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat) = 1.0V (Maximum) at IC = 15A. · Excellent DC current Gain hFE = 20 ~ 100 at IC = 10A. Спецификации: Полярность транзистора: PNP Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80 В Корпус транзистора: TO-3 ...
Наименование модели: 2N5884 Производитель: SPC Technology Описание: Биполярный транзистор, PNP, -80 В, TO-3 Данные для моделирования Спецификации: Полярность транзистора: PNP Collector Emitter Voltage, V(br)ceo: 80 В Transition Frequency Typ, ft: 4 МГц Рассеиваемая мощность: 200 Вт DC Collector Current: 25 А DC Current Gain Max (hfe): 100 RoHS: есть Дополнительные аксессуары: WAKEFIELD SOLUTIONS - 403K ...
Наименование модели: 2N5886G Производитель: ON Semiconductor Описание: Транзистор, NPN, TO-3 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: 2N5883, 2N5884 (PNP) 2N5885, 2N5886 (NPN) 2N5884 and 2N5886 are Preferred Devices Complementary Silicon High-Power Transistors Complementary silicon high-power transistors are designed for general-purpose power amplifier and switching applications. Features http://onsemi.com Данные для моделирования Спецификации: Полярность транзистора: NPN Collector ...