Правовое регулирование строительства и использования в России сетей связи нового поколения на базе стандарта LTE является одним из наиболее перспективных направлений развития современного отечественного законодательства в сфере связи. Поэтому весьма актуальной является специальная литература, посвященная правовому обеспечению внедрения LTE-технологий. В предлагаемой книге анализируются правовые проблемы развития LTE-технологий и перераспределения частот радиочастотного спектра, правовые основы ...
Наименование модели: IRF7205TRPBF Производитель: International Rectifier Описание: P CHANNEL полевой транзистор, -30 В, 4.6 А, SOIC Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD - 9.1104B IRF7205 HEXFET® Power MOSFET Adavanced Process Technology Ultra Low On-Resistance l P-Channel MOSFET l Surface Mount l Available in Tape & Reel l Dynamic dv/dt Rating l Fast Switching Description l l Спецификации: Полярность транзистора: P Channel Continuous Drain Current Id: -4.6 А Drain Source Voltage ...