Журнал РАДИОЛОЦМАН, октябрь 2018 В этой статье показан способ использования паразитных диодов MOSFET в силовых схемах. Решение может найти применение в источниках бесперебойного питания (ИБП) и системах рекуперации энергии (Рисунок 1). Рисунок 1. Схема может работать в двух режимах: как мостовой выпрямитель или как DC/AC ШИМ инвертор. При высоком уровне сигнала на входе Режим схема работает как мостовой выпрямитель. Мост состоит из диодов D1, D2 и паразитных диодов MOSFET Q1 и Q2. В этом ...
Наименование модели: IRLB8743PBF Производитель: International Rectifier Описание: Полевой транзистор N CH 30 В 78 А TO220 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD - 96232 IRLB8743PbF Applications l l l HEXFET® Power MOSFET Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 40 А Drain Source Voltage Vds: 30 В On Resistance Rds(on): 2.5 МОм Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Voltage Vgs Max: 1.8 В Рабочий диапазон температрур: -55°C .. +175°C Корпус транзистора: ...
Возможно, наиболее распространенными приложениями для очень низкоомных резисторов (например, миллиомы и меньше) являются схемы контроля тока, где их низкое сопротивление снижает потери мощности. Для этих приложений вполне достаточно допусков порядка 10%-20%. Но даже при таких допусках точное измерение очень малых значений сопротивлений может быть довольно сложной задачей, особенно при больших токах. Схема, показанная на Рисунке 1, обеспечивает решение этой проблемы путем подачи импульсов с ...