Наименование модели: PDTC123EMB Производитель: NXP Описание: TRANS, NPN W/RES, 50 В, SOT883B Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PDTC123EMB 83B NPN resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 k Rev. 1 -- 3 April 2012 Product data sheet 1. Product profile Спецификации: Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В DC Collector Current: 100 мА DC Current Gain: 30 Transition Frequency Typ ft: 230 МГц Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited Количество выводов: 3 Корпус транзистора: ...