Журнал РАДИОЛОЦМАН, июль 2015 Хотя полевые транзисторы с p-n переходом и являются отличными устройствами для недорогих усилителей с высокоимпедансными входами, использование их в подобных схемах затрудняется значительным температурным дрейфом крутизны (Рисунок 1). Проблему можно смягчить, установив ток стока в рабочую точку с нулевым дрейфом во всем диапазоне температур от 55 C до 125 C. Рисунок 1. Температурная зависимость крутизны для полевых транзисторов J310 и J309 (ON Semiconductor). Для ...