Поиск datasheet электронных компонентов
  en

Поиск по: ADP3623ARDZ

34 предложений от 16 поставщиков
Драйвер FET, Analog Devices ADP3623ARDZ-RL, Dual MOSFET Power Driver, -4A, 4A, 4.5 → 18V, 8Pin SOIC

Информация по: ADP3623ARDZ

  • Datasheet PMN55LN - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 20 В, 4.1 А, SOT457
    Наименование модели: PMN55LN Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 20 В, 4.1 А, SOT457 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PMN55LN µTrenchMOSTM logic level FET M3D302 Rev. 01 -- 24 March 2003 Product data Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 4.1 А Drain Source Voltage Vds: 20 В On Resistance Rds(on): 0.055 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Рассеиваемая мощность: 1.75 Вт Рабочий диапазон температрур: -55°C .. +150°C Корпус ...
  • Datasheet Analog Devices ADP3623ARDZ-RL
    Высокоскоростной двойной драйвер MOSFET на 4 А с тепловой защитой ADP362x/ADP363x — это семейство сильноточных и двойных высокоскоростных драйверов, способных управлять двумя независимыми мощными N-канальными МОП-транзисторами. В этом семействе используются стандартные для отрасли габариты, но при этом обеспечивается высокая скорость переключения и повышенная надежность системы. ...
  • Datasheet PMN27UN - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 20 В, 5.7 А, SOT457
    Наименование модели: PMN27UN Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 20 В, 5.7 А, SOT457 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PMN27UN TrenchMOSTM ultra low level FET M3D302 Rev. 01 -- 27 September 2002 Product data Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 5.7 А Drain Source Voltage Vds: 20 В On Resistance Rds(on): 0.027 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ Рассеиваемая мощность: 1.75 Вт Рабочий ...

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники