ADuM5230 изолированный полумостовой драйвер затвора может использоваться как в верхнем так и в нижнем плече. В микросхему интегрированы изолированный источник питания и изолированные драйверы затвора. Встроенный, изолированный преобразователь питает и выход верхнего плеча, и схему внешнего буфера, уменьшая габариты и сложность конструкции, возникающие при использовании конфигурации с внешним источником питания. В микросхеме ADuM5230 изолированные выходы могут работать с напряжением до +/-700 В ...
Многие мощные MOSFET транзисторы достигают низких значений сопротивления открытого состояния при напряжении 5 В, даже в случае, если напряжение затвор-исток составляет 5 В. Для очень мощных MOSFET транзисторов, особенно IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором) транзисторов, инженеры предпочитают использовать напряжение затвор-исток в диапазоне от 12 до 15 В, так как сопротивление открытого состояния продолжает снижаться при повышении этого напряжения. Например, IRFR024 , мощный ...