International Rectifier представила МТР импульсную серию изолированных модулей с керамическим слоем из нитрида алюминия для уменьшения термического сопротивления между подложкой и корпусом. Изолирующий слой обеспечивает в семь раз лучшую теплопроводность чем подложки из оксида алюминия, используемые в продукции конкурентов. Новые 600В- и 1200В- модули совмещают в себе высокоскоростные IGBT транзисторы и оптимизированными диодами. Это позволяет выполнить устройство в одном корпусе, а также ...
International Rectifier представила новые WARP2 TM 600В 50А, 35А и 25А NPT IGBT транзисторы с улучшенной характеристикой переключения для мощных, высокочастотных импульсных блоков питания (SMPS) в телекоммуникационных и серверных системах. Новые WARP2 NPT IGBT транзисторы обладают лучшим соотношением цена-производительность по сравнению с мощными MOSFET транзисторами. WARP2 IGBT транзисторы имеют встроенные HEXFRED® диоды, которые обеспечивают более лучшие характеристики по сравнению с ...
Новый регулятор MOSFET с входной емкостью, уменьшенной на 40%, и синхронный регулятор MOSFET с сопротивлением включенного состояния, сниженным на 25%, увеличивают время жизни батарей в автономных электронных системах. International Rectifier представляет чипсет IRF7821 и IRF7832 для импульсных блоков питания, увеличивающий продолжительность жизни батарей в ноутбуках. Семейство HEXFET® MOSFET может еще применяться в импульсных источниках питания серверов и графических карт, а также в POL ...