Созданная RFMD новая микросхема RFVA0016 представляет собой широкополосный гибридный усилительный модуль с аналоговой регулировкой усиления и внешними цепями согласования, перекрывающий диапазон частот от 400 до 2700 МГц. Модуль отличается исключительной линейностью параметр OIP3 (точка пересечения интермодуляции третьего порядка по входу) составляет более 40 дБ. Глубина регулировки усиления превышает 30 дБ. Вывод выбора режима позволяет управлять характером наклона регулировочной ...
Высокомощный сабвуфер автомобильный 10` сабвуфер Lotus by Seas SW250, с диффузором из алюминия разработанный специально для воспроизведения самых низких частот, как дополнение к автомобильным динамикам и компонентной акустике Lotus by Seas. Конструктивные особенности: Жесткий легкий диффузор из алюминия Размер подвеса из натурального каучука способствует длинному ходу диффузора Жесткая металлическая корзина Высокотемпературная каптоновая> звуковая катушка Высококачествееные винтовые разъемы ...
Наименование модели: PMN20EN Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, сдвоенный, 30 В, 6.7 А, SOT457 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SO T4 57 PMN20EN 30 V, 6.7 A N-channel Trench MOSFET Rev. 1 -- 30 May 2011 Product data sheet 1. Product profile Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 6.7 А Drain Source Voltage Vds: 30 В On Resistance Rds(on): 0.016 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В ...