Поиск datasheet электронных компонентов

Поиск по: BCP5316T1

62 предложений от 32 поставщиков
Транзисторы биполярные.Тип проводимости: PNPМаксимальный постоянный ток коллектора, А: 1,5Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 1,5Коэффициент усиления hFE мин.: 100Вес брутто: 0.22Корпус: SOT-223Упаковка: 1000MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Информация по: BCP5316T1

  • BCP53-16/T1 PBF
    Datasheet NXP BCP53-16/T1 PBF Биполярные транзисторы общего примененияNXP Semiconductors NXP/PH
  • Datasheet BCP53-16T1G - ON Semiconductor Даташит Биполярный транзистор, PNP, -80 В
    Наименование модели: BCP53-16T1G Производитель: ON Semiconductor Описание: Биполярный транзистор, PNP, -80 В Спецификации: Полярность транзистора: PNP Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80 В Transition Frequency Typ ft: 50 МГц Рассеиваемая мощность: 1.5 Вт Рабочий диапазон температрур: -65°C .. +150°C Количество выводов: 3 RoHS: есть ...
  • Datasheet BCP53T1G - ON Semiconductor Даташит Биполярный транзистор
    Наименование модели: BCP53T1G Производитель: ON Semiconductor Описание: Биполярный транзистор Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: BCP53 Series PNP Silicon Epitaxial Transistors This PNP Silicon Epitaxial transistor is designed for use in audio amplifier applications. The device is housed in the SOT223 package which is designed for medium power surface mount applications. · High Current: 1.5 Amps · NPN Complement is BCP56 · The SOT223 Package can be soldered using wave or reflow. ...

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники