Наименование модели: BSH205 Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, P, SOT-23 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: Philips Semiconductors Product specification P-channel enhancement mode MOS transistor FEATURES · Very low threshold voltage · Fast switching · Logic level compatible · Subminiature surface mount package Спецификации: Полярность транзистора: P Channel Continuous Drain Current Id: 750 мА Drain Source Voltage Vds: -12 В On State Resistance: 400 МОм Rds(on) Test ...
Наименование модели: BSH205,215 Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, P CH, 12 В, 0.75 А, SOT23 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: Philips Semiconductors Product specification P-channel enhancement mode MOS transistor FEATURES · Very low threshold voltage · Fast switching · Logic level compatible · Subminiature surface mount package Спецификации: Continuous Drain Current Id: 750 мА Drain Source Voltage Vds: -12 В On Resistance Rds(on): 0.18 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: ...
Журнал РАДИОЛОЦМАН, октябрь 2011 Martin Tomasz, США EDN Соединив тщательно подобранный операционный усилитель (ОУ), низкопороговый P-канальный MOSFET транзистор и два резистора обратной связи, можно сделать схему выпрямителя с прямым падением напряжения меньшим, чем у диода Шоттки (Рисунок 1). Схема активного выпрямителя питается выпрямленным напряжением, поэтому в дополнительном источнике питания она не нуждается. Потребляемый схемой ток меньше, чем обратный ток большинства диодов Шоттки. ...