Поиск datasheet электронных компонентов
  en

Поиск по: BSS123

88 предложений от 38 поставщиков
Транзисторы разные.Тип: MOSFETТип проводимости: NМаксимальное напряжение сток-исток, В: 100Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 0,17Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 6000Емкость, пФ: 30Диапазон рабочих температур: -55…+150 °СВес брутто: 0.04Транспортная упаковка: размер/кол-во: 44*40*20/30000Способ монтажа: поверхностный (SMT)Корпус: SOT-23Упаковка: REEL, 3000 шт.

Информация по: BSS123

  • Datasheet Fairchild BSS123
    N-канальный полевой транзистор с обогащенным каналом и логическим уровнем управления Эти N-канальные полевые транзисторы с усилением логического уровня производятся с использованием запатентованной Fairchild технологии DMOS с высокой плотностью ячеек. Этот процесс с очень высокой плотностью был специально разработан для минимизации сопротивления в открытом состоянии и обеспечения превосходных характеристик переключения. Этот продукт особенно подходит для приложений с низким напряжением и малым ...
  • BSS123 PBF
    Datasheet Fairchild BSS123 PBF Полевые транзисторы общего применения FAIR Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Corp. Fairchild Semiconductor Corporation Fairchild Semiconductor International
  • Datasheet BSS123 - NXP Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 150 мА, 100 В, SOT-23
    Наименование модели: BSS123 Производитель: NXP Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 150 мА, 100 В, SOT-23 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET FEATURES · 'Trench' technology · Extremely fast switching · Logic level compatible · Subminiature surface mounting package Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 150 мА Drain Source Voltage Vds: 100 В On ...

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники