Поиск datasheet электронных компонентов
  en

Поиск по: CBR10-010P

26 предложений от 16 поставщиков
SILICON GRIDGE RECTIFIER 10 AMPS, 100 THRU 1000 VOLTS

Информация по: CBR10-010P

  • ON Semiconductor анонсировала полностью карбидокремниевые решения для зарядных станций электромобилей
    ON Semiconductor анонсировала два 1200-вольтовых полностью карбидокремниевых (SiC) MOSFET модуля, еще больше расширяющих ассортимент ее продуктов, предназначенных для требовательного рынка электромобилей. Продолжающийся рост продаж электромобилей требует развертывания соответствующей инфраструктуры, способной удовлетворить потребности водителей, обеспечивая их сетью станций быстрой зарядки, которые позволят им доезжать до пункта назначения быстро и без беспокойства по поводу оставшегося ...
  • Datasheet RSF010P03TL - Rohm Даташит SWITCHING полевой транзистор
    Наименование модели: RSF010P03TL Производитель: Rohm Описание: SWITCHING полевой транзистор Скачать Data Sheet Спецификации: Полярность транзистора: P Channel Continuous Drain Current Id: -1 А Drain Source Voltage Vds: -30 В On Resistance Rds(on): 350 МОм Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В Threshold Voltage Vgs Typ: -2.5 В Рассеиваемая мощность: 800 мВт Рабочий диапазон температрур: -55°C .. +150°C Корпус транзистора: TUMT Количество выводов: 3 SVHC: No SVHC (20-Jun-2011) Current Id Max: -1 А ...
  • Datasheet ON Semiconductor NXH010P120MNF1
    Модуль SiC, топология полумоста из 2 элементов, 1200 В, 10 МОм SiC MOSFET NXH010P120MNF1 - это модуль SiC MOSFET, содержащий полумост SiC MOSFET 10 МОм и термистор NTC в модуле AM F1.

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники