30-вольтовый синхронный N-канальный режим улучшения MOSFET Этот МОП-транзистор нового поколения предназначен для минимизации сопротивления включенному состоянию (RDS (ON)) и в то же время поддерживает превосходные характеристики коммутации, что делает его идеальным для высокоэффективных приложений управления питанием. ...
Компания Diodes сообщила о доступности первого прибора из нового поколения дискретных MOSFET. При меньших размерах транзистор DMN3012LEG за счет повышенной эффективности обеспечивает значительную экономию средств, мощности и места на плате для широкого спектра приложений преобразования энергии и управления мощностью. В корпусе DMN3012LEG размером 3.3 мм × 3.3 мм размещен сдвоенный MOSFET, занимающий на печатной плате вдвое меньшую площадь, чем типичное решение с двумя транзисторами. ...
30-вольтовый синхронный N-канальный режим улучшения MOSFET Этот МОП-транзистор нового поколения предназначен для минимизации сопротивления включенному состоянию (RDS (ON)) и в то же время поддерживает превосходные характеристики коммутации, что делает его идеальным для высокоэффективных приложений управления питанием. ...