Поиск по: DSC1101CI5-026.0000

Купить DSC1101CI5-026.0000 на РадиоЛоцман.Цены — от 51 до 287 ₽ 13 предложений от 10 поставщиков , Oscillator MEMS 27MHz ±10ppm (Stability) 15pF CMOS 55% 2.5V/3.3V 6-Pin VDFN SMD T/R

Информация по: DSC1101CI5-026.0000

• ЖК и ЭЛТ телевизоры. Регулировка и ремонт
  В книге рассмотрены популярные модели современных телевизоров 2000-2005 гг. выпуска известных производителей и торговых марок: JVC, Elenberg, Miyota, Philips, Polar, Premiera, Rolsen, Samsung Electronics, Super, Viewsonic, Vitek, Сокол. Всего рассматривается 10 телевизионных шасси, на которых производится более 30 моделей телевизоров с диагоналями кинескопа (ЖК панели) от 5 до 27 дюймов. По каждому шасси приводятся принципиальная электрическая схема, подробное описание работы всех ее составных ...
• RFMD начинает производство сверхширокополосных микросхем-усилителей серии SDA
  RF Microdevices официально объявляет о начале серийного производства сверхширокополосных GaAs усилителей серии SDA-X0000. Формат фактор микросхем - бескорпусные кристаллы размером 3.1×1.45мм. Выпуском SDA ознаменовано начало производства целой серии распределенных усилителей (усилителей бегущей волны), которую в RF Microdevices намерены развивать в ближайшие годы. Основным аргументом, побудившим RFMD разработать данные устройства, послужило не только наличие аналогичных предложений на ...
• Plessey и Compound Photonics создали прототип микросветодиодного дисплея с диагональю 0.26" и разрешением Full HD 1080p
  Julien Happich eeNews Europe Американская корпорация Compound Photonics (CP) и Plessey Semiconductors объединили свои усилия для создания первых прототипов микросветодиодных (microLED) дисплеев с диагональю 0.26 дюйма и разрешением Full HD 1080p. Результатом их ранее объявленного стратегического партнерства являются полностью адресуемые дисплейные модули на микросветодиодах, созданных эпитаксией GaN на кремнии, основной сферой применения которых должны быть приложения дополненной/ смешанной ...

Новое в электронике

• Простая схема, позволяющая более точно определить характеристики JFET
  В апреле 2012 года EDN опубликовал схему Джона Фаттарузо, которая позволяет быстро измерить ток насыщения сток-исток и напряжение отсечки как n-канальных, так и p-канальных полевых транзисторов с p-n переходом...
• RISC-V онлайн: Дистанционная лаборатория открывает новые возможности
  19 мая стартовал первый этап масштабного технологического проекта российского Альянса RISC-V совместно с МИЭТ и МИЭМ ВШЭ — «Дистанционная лаборатория RISC-V»...
• Грантополучатель Агентства наладил выпуск комбинации приборов с TFT-дисплеем для коммерческого транспорта
  До недавнего времени в России не выпускались комбинации приборов с полноэкранным TFT-дисплеем, но теперь ситуация изменилась: московская компания «МЕТТЭМ-М» провела обратный инжиниринг в рамках грантовой программы Агентства по технологическому развитию и наладила их производство...
• В МГУ создали новый метод балансировки сетей с использованием машинного обучения
  Представители НОШ МГУ «Мозг, когнитивные системы, искусственный интеллект» предложили метод оптимизации транспортных потоков в наложенных сетях с использованием многоагентного обучения с подкреплением...

Остались вопросы?

• Форум по электронным компонентам
  Помощь экспертов в поиске даташитов и аналогов, вопросы применения.
• Производители электронных компонентов
  Чипы, транзисторы, диоды, конденсаторы, резисторы.
• Каталог сайтов по электронным компонентам
  Чипы, транзисторы, диоды, конденсаторы, резисторы.