Поиск datasheet электронных компонентов
  en

Поиск по: DSC1103CI2-052

19 предложений от 13 поставщиков
MEMS Oscillator, High Perf, Single LVDS Output, -40C-85C, 25ppm

Информация по: DSC1103CI2-052

  • БЭК. Выпуск 10. Потенциометры и устройства защиты фирмы Bourns
    Содержит основные электрические и эксплуатационные характеристики, а также габаритные и присоединительные размеры потенциометров и защитных резисторов фирмы Bourns. В книге приводятся справочные данные только по новым перспективным приборам, выпускаемых фирмой Bourns. Предназначен для специалистов по электронике, электротехнике и приборостроению, занимающихся разработкой и ремонтом аппаратуры, а также для широкого круга радиолюбителей и студентов технических учебных ...
  • Источник питания светодиодов Inventronics EUV-300S052ST
    Защита от короткого замыкания, перегрузки, перенапряжения, перегрева и грозовых разрядов Сверхвысокий КПД (до 94%) Защита корпуса по IP67 Габариты 223 × 98 × 44.5 мм Вес 1540 г Технические характеристики источников питания серии EUV-300SxxxST Основные параметры моделей серии Модель Выходное напряжение В DC Входное напряжение В AC Максимальный выходной ток, А Максимальная выходная мощность, Вт Типовой КПД Коэффициент мощности 110 В AC 220 В AC EUV-300S012ST 12 90 305 20.83 250 92.0% ...
  • Datasheet BSP110,115 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 0.52 А, SOT223
    Наименование модели: BSP110,115 Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 0.52 А, SOT223 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: BSP110 N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 03 -- 26 July 2000 Product specification 1. Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOSTM1 technology. Product availability: BSP110 in SOT223. Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: ...

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники