The circuit is based on application of National Semiconductor. First is constituted by three voltage regulators LM338 [IC1-2-3] connected `'in parallel' '. The each one regulator has the possibility of giving 5 A in his output. Also exists the possibility to regulate the output voltage from +4.5 V until 25 V DC, stabilized. The voltage regulation in the output becomes with the TR1. If it does not exist the need of this continuous output voltage regulation, then we can measure the ...
Краткая спецификация: Диапазон входных напряжений: 36-75 V DC Выходные напряжения: +/-12 V Выходная мощность: 19.2 W Топология: обратноходовая Применение: Телекоммуникационное оборудование. Особенности схемы: Схема обладает низкой стоимостью при работе на частоте в 400 KHz. Выходные напряжения +/-12 V при максимальной нестабльности в 5%. Высокий КПД (при использовании диодного выпрямителя) - 80% при входном напряжении 48 V. Низкое число компонентов. Точная защита от пониженного и повышенного ...
RF Microdevices официально объявляет о начале серийного производства сверхширокополосных GaAs усилителей серии SDA-X0000. Формат фактор микросхем - бескорпусные кристаллы размером 3.1×1.45мм. Выпуском SDA ознаменовано начало производства целой серии распределенных усилителей (усилителей бегущей волны), которую в RF Microdevices намерены развивать в ближайшие годы. Основным аргументом, побудившим RFMD разработать данные устройства, послужило не только наличие аналогичных предложений на ...