|
Поиск datasheet (техническая документация) на электронные компоненты (микросхемы, транзисторы, диоды и др.) |
Поиск по: ECLERK-M-11-2PT-G2-120-W
Искать " ECLERK-M-11-2PT-G2-120-W" в других поисковых системах: GoogleECLERK-M-11-2PT-G2-120-WИнформация по: ECLERK-M-11-2PT-G2-120-W- International Rectifier представляет два 120В DC-DC конвертера в герметичном корпусе, обладающие на 25% большей отдачей энергии
International Rectifier представила два герметичных 120В DC-DC преобразователя напряжения, которые обеспечивают до 84Вт/дюйм 3 энергетической плотности и КПД до 80%. Новый AFL12005S обеспечивают 16А при 5В выходном напряжении, а AFL1203R3S - 20А при 3,3В выходном напряжении. AFL12005S обладает на 25% большей энергетической отдачей чем ближайшие конкуренты. AFL1203R3S - первый в отрасли герметичный преобразователь с входным 120В и выходным 3,3В напряжениями, выпускаемый в 3х1,5х0,38 дюймовом ... - International Rectifier представляет высокоскоростные выпрямительные IGBT-модули с теплоотводом для применения в компактных устройствах, где присутствуют большие токи
International Rectifier представила МТР импульсную серию изолированных модулей с керамическим слоем из нитрида алюминия для уменьшения термического сопротивления между подложкой и корпусом. Изолирующий слой обеспечивает в семь раз лучшую теплопроводность чем подложки из оксида алюминия, используемые в продукции конкурентов. Новые 600В- и 1200В- модули совмещают в себе высокоскоростные IGBT транзисторы и оптимизированными диодами. Это позволяет выполнить устройство в одном корпусе, а также ... - Micron Technology демонстрирует первые чипы памяти 1 Гб DDR SDRAM, выполненные по 0,11мкм техпроцессу
Micron лидирует в разработке технологий чипов памяти следующего поколения и их производстве 23 декабря, 2002г. - Micron Technology, Inc., продемонстрировала первые чипы 1 Гигабит (Gb) синхронной динамической памяти (SDRAM) с удвоенной скоростью обмена данными (DDR), выполненные по 0,11 мкм техпроцессу. Чипы 1 Гб DDR SDRAM с напряжением питания 2,5В производятся в 400 mil(0,4 дюйма) TSOP корпусах и соответствуют передовым требованиям по пропускной способности для DDR SDRAM систем памяти. Micron ...
|