Монолитные GaN интегральные приборы EPC2112 и EPC2115 позволят разработчикам систем питания повысить КПД и сократить размеры своих устройств Компания Efficient Power Conversion (EPC) анонсировала выпуск мощных GaN МОП-транзисторов обогащенного типа (eGaN FET) EPC2112 и EPC2115 с интегрированными драйверами затворов. 200-вольтовый eGaN FET EPC2112 с сопротивлением открытого канала 40 мОм дополнен драйвером затвора. Двухтранзисторный EPC2115 также содержит драйверы затворов, а сами eGaN FET ...