Поиск datasheet электронных компонентов
  en

Поиск по: FDB2614

38 предложений от 17 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 200 В, 62 А, 0.0229 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

Информация по: FDB2614

  • Datasheet FDB2614 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N, SMD, TO-263
    Наименование модели: FDB2614 Производитель: Fairchild Описание: Полевой транзистор, N, SMD, TO-263 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: FDB2614 200V N-Channel PowerTrench MOSFET November 2006 FDB2614 200V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 62 А Drain Source Voltage Vds: 200 В On Resistance Rds(on): 22.9 МОм Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В Рассеиваемая мощность: ...
  • Fairchild Semiconductor представляет MOSFET, оптимизированные для использования в источниках питания плазменных панелей
    Новые микросхемы Fairchild Semiconductors FDB2614 (200 В) и FDB2710 (250 В) - это n-канальные MOSFET-транзисторы, специально разработанные для достижения лучших показателей эффективности при наиболее оптимальном размещении на плате. Данные транзисторы широко применяются в плазменных панелях (PDP). Использование запатентованной технологии PowerTrech позволило получить наименьшее сопротивление RDS(on) в открытом состоянии по сравнению с аналогичными продуктами: FBD2614: 22.9 мОм, FBD2710: 36.3 ...

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники