Поиск datasheet электронных компонентов
  en

Поиск по: FDN335N

64 предложений от 28 поставщиков
Транзисторы разные.Тип: MOSFETТип проводимости: NМаксимальное напряжение сток-исток, В: 20Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 2,3Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 72Емкость, пФ: 260Заряд затвора, нКл: 5Диапазон рабочих температур: -55…+150 °СВес брутто: 0.05Транспортная упаковка: размер/кол-во: 41*41*22/12000Способ монтажа: поверхностный (SMT)Корпус: SOT-23Упаковка: REEL, 3000 шт....

Информация по: FDN335N

  • Datasheet FDN335N - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N SOT-23 REEL 3K
    Наименование модели: FDN335N Производитель: Fairchild Описание: Полевой транзистор, N SOT-23 REEL 3K Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: FDN335N April 1999 FDN335N N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET General Description Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 1.7 А Drain Source Voltage Vds: 20 В On Resistance Rds(on): 70 МОм Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В Threshold Voltage Vgs Typ: 800 мВ Рассеиваемая мощность: 500 мВт Рабочий ...
  • Datasheet ON Semiconductor FDN335N
    N-канальный 2,5 В специфицированный PowerTrench™ MOSFET 20 В, 1,7 А, 70 мОм
  • Недорогой анемометр борется с пылью
    Журнал РАДИОЛОЦМАН, май 2019 Jim Christensen EDN Растущие уровни рассеиваемой мощности требуют интенсивного охлаждения, и все больше и больше вентиляторов оказываются в тесных корпусах электронных устройств. Однако пыль, которую вентиляторы затягивают в эти корпуса, может создавать серьезные проблемы для высоконадежных систем. Покрывая теплоотводы и электрически заряженные компоненты, пыль действует как одеяло, увеличивающее эффективное тепловое сопротивление между компонентами и воздухом. ...

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники