 |
Поиск datasheet электронных компонентов |
| en |
Поиск по: FHX35LG
7 предложений от 7 поставщиков , Trans JFET 2V 10mA GaAs HEMT 4Pin Case LG |
Купить FHX35LG на РадиоЛоцман.ЦеныИнформация по: FHX35LG
- Datasheet Eudyna Devices FHX35LGСверхмалошумящий HEMT FHX35LG — это транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT), предназначенный для усилителей общего назначения с низким уровнем шума и высоким коэффициентом усиления в диапазоне частот 2–18 ГГц. Это устройство упаковано в экономичные, с низким уровнем паразитных помех, герметичные (LG) или эпоксидные (LP) металлокерамические корпуса для крупномасштабных телекоммуникаций, DBS, TVRO, VSAT или других приложений с низким уровнем шума. ...
- Смещение для высокочастотного полевого транзистора с p-n переходомПолевые транзисторы с p-n переходом обычно требуют подачи на затвор некоторого обратного напряжения смещения. В приложениях ВЧ и СВЧ это смещение часто обеспечивается с помощью напряжения, падающего на истоковом резисторе R S (Рисунок 1). Рисунок 1. Для работы полевого транзистора с p-n переходом обычно требуется некоторое обратное смещение затвора, которое в ВЧ/СВЧ приложениях часто обеспечивается с помощью напряжения, падающего на резисторе R S . Помимо очевидной неэффективности, у такого ...
Новое в электронике
- Вышел электронный журнал «РадиоЛоцман» 2025, 03-04
- Цифровые потенциометры программируют биквадратный фильтр
- Резидент ОЭЗ «Технополис Москва» изготовил головное устройство для электромобиля
- Диджитайзеры от резидента Сколково ускорят проведение научных исследований в России
Остались вопросы?
- Форум по электронным компонентамПомощь экспертов в поиске даташитов и аналогов, вопросы применения.
- Производители электронных компонентовЧипы, транзисторы, диоды, конденсаторы, резисторы.
- Каталог сайтов по электронным компонентамЧипы, транзисторы, диоды, конденсаторы, резисторы.
