N-канальный QFET MOSFET 100 В, 12,8 А, 180 мОм Этот мощный N-канальный МОП-транзистор в режиме улучшения производится с использованием запатентованной планарно-полосковой технологии Fairchild Semiconductor и технологии DMOS. Эта передовая технология MOSFET была специально разработана для снижения сопротивления в открытом состоянии, а также для обеспечения превосходных характеристик переключения и высокой стойкости к лавинной энергии. Эти устройства подходят для импульсных источников питания, ...
N-канальный QFET MOSFET 100 В, 12,8 А, 180 мОм Этот мощный N-канальный МОП-транзистор в режиме улучшения производится с использованием запатентованной планарно-полосковой технологии Fairchild Semiconductor и технологии DMOS. Эта передовая технология MOSFET была специально разработана для снижения сопротивления в открытом состоянии, а также для обеспечения превосходных характеристик переключения и высокой стойкости к лавинной энергии. Эти устройства подходят для импульсных источников питания, ...
Дискретные МОП-транзисторы Не рекомендуется для нового дизайна по состоянию на 12 января 2005 г. Пожалуйста, рассмотрите следующие рекомендуемые замены: FQP13N10.