Поиск datasheet электронных компонентов
  en

Поиск по: GAN063

13 предложений от 6 поставщиков
Gallium Nitride (GaN) Transistor, Gan FET, 650 В, 34.5 А, 0.06 Ом, 15 нКл, TP-247, Through Hole

Информация по: GAN063

  • Nexperia запускает в производство свой первый GaN МОП-транзистор с лучшими в отрасли характеристиками
    Проверенный, надежный и масштабируемый технологический процесс, готовый к использованию в массовом производстве Nexperia объявила о выходе на рынок нитрид-галлиевых (GaN) полевых транзисторов со своим первым высоконадежным 650-вольтовым устройством GAN063-650WSA с напряжением затвор-исток 20 В и диапазоном рабочих температур от 55 C до +175 C. Низкое сопротивление открытого канала нового транзистора до 60 мОм и большая скорость переключения обеспечивают очень высокий КПД. Новый продукт ...
  • Datasheet Nexperia GAN063-650WSAQ
    650 В, 50 мОм полевой транзистор на основе нитрида галлия (GaN) GAN063-650WSA — это 650 В, 50 мОм полевой транзистор на основе нитрида галлия (GaN). Это нормально выключенное устройство, которое сочетает в себе передовые технологии высоковольтных GaN HEMT и низковольтных кремниевых MOSFET от Nexperia, предлагая превосходные Надежность и производительность. Сертификация AEC-Q101. ...
  • Datasheet Nexperia GAN063-650WSA
    650 В, 50 мОм полевой транзистор на основе нитрида галлия (GaN) GAN063-650WSA — это 650 В, 50 мОм полевой транзистор на основе нитрида галлия (GaN). Это нормально выключенное устройство, которое сочетает в себе передовые технологии высоковольтных GaN HEMT и низковольтных кремниевых MOSFET от Nexperia, предлагая превосходные Надежность и производительность. Сертификация AEC-Q101. ...

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники