Поиск по: GT10Q101

Информация по: GT10Q101

• Datasheet GT10Q101 - Toshiba Даташит IGBT, 1200 В, TO-3P(N)
  Наименование модели: GT10Q101 Производитель: Toshiba Описание: IGBT, 1200 В, TO-3P(N) Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: GT10Q101 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT10Q101 High Power Switching Applications Unit: mm The 3rd Generation Enhancement-Mode High Speed: tf = 0.32 µs (max) Low Saturation Voltage: VCE (sat) = 2.7 V (max) Спецификации: Тип транзистора: IGBT DC Collector Current: 10 А Collector Emitter Voltage Vces: 2.7 В Power Dissipation ...

Новое в электронике

• Вышел электронный журнал «РадиоЛоцман» 2025, 03-04
  Электронный журнал в формате PDF для разработчиков электроники. Распространяется бесплатно на сайте РадиоЛоцман...
• Цифровые потенциометры программируют биквадратный фильтр
  Из множества доступных разработчикам типов аналоговых фильтров лишь немногие позволяют легко настраивать их параметры. Однако биквадратный фильтр является исключением...
• Резидент ОЭЗ «Технополис Москва» изготовил головное устройство для электромобиля
  Линейку головных мультимедийных устройств с сенсорным экраном последнего поколения для электромобиля «Атом» разработал резидент особой экономической зоны «Технополис Москва» – компания «Некс-Т»...
• Диджитайзеры от резидента Сколково ускорят проведение научных исследований в России
  Компания «Диджитайзер», резидент Сколково, сконструировала многоканальные высокоскоростные (500 МВыб/с) диджитайзеры с потоковой обработкой сигналов и успешно протестировала их в ряде научных учреждений России...

Остались вопросы?

• Форум по электронным компонентам
  Помощь экспертов в поиске даташитов и аналогов, вопросы применения.
• Производители электронных компонентов
  Чипы, транзисторы, диоды, конденсаторы, резисторы.
• Каталог сайтов по электронным компонентам
  Чипы, транзисторы, диоды, конденсаторы, резисторы.