Наименование модели: GT50J102 Производитель: Toshiba Описание: IGBT, 600 В, TO-3P(LH) Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: GT50J102 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT GT50J102 HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS MOTOR CONTROL APPLICATIONS l The 3rd. Generation. l Enhancement-Mode. l High Speed. l Low Saturation Voltage. : tf = 0.30µs (Max.) : VCE(sat) = 2.7V (Max.) Unit: mm Спецификации: Тип транзистора: IGBT DC Collector Current: 50 А Collector Emitter ...