Поиск datasheet электронных компонентов

Поиск по: HUF75652G3

35 предложений от 21 поставщиков
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 75А; 515Вт; TO247

Информация по: HUF75652G3

  • Datasheet HUF75652G3 - Fairchild Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 100 В, 75 А, TO-247
    Наименование модели: HUF75652G3 Производитель: Fairchild Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 100 В, 75 А, TO-247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: HUF75652G3 Data Sheet December 2001 75A, 100V, 0.008 Ohm, N-Channel UltraFET® Power MOSFET Packaging JEDEC TO-247 SOURCE DRAIN GATE Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 75 А Drain Source Voltage Vds: 100 В On Resistance Rds(on): 0.008 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Threshold Voltage Vgs ...
  • Datasheet ON Semiconductor HUF75652G3
    N-Channel UltraFET Power MOSFET 100 В, 75 А, 8 мОм
  • Новая серия МОП-транзисторов IRFP4xxx с ультранизким сопротивлением канала
    Евгений Звонарев Новости Электроники 18, 2008 Новая серия мощных МОП-транзисторов IRFP4xxx компании International Rectifier (IR) с ультранизким сопротивлением канала позволяет существенно повысить КПД преобразования электрической энергии и значительно сократить потери проводимости в конверторах. Отличительная особенность новой серии IRFP4xxx, производимой по новейшей технологии Trench HEXFET Power MOSFETs, - уменьшенное сопротивление Rds(on) до 2,5 раз по сравнению с транзисторами предыдущего ...

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники