Поиск datasheet электронных компонентов

Поиск по: IKW30N60

80 предложений от 33 поставщиков
БТИЗ транзистор, универсальный, 60 А, 2.05 В, 187 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)

Информация по: IKW30N60

  • Datasheet IKW30N60T - Infineon Даташит IGBT, N, 600 В, 30 А, TO-247
    Наименование модели: IKW30N60T Производитель: Infineon Описание: IGBT, N, 600 В, 30 А, TO-247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: TrenchStop® Series IKW30N60T q Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop® and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode · · · · · Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.) Maximum Junction Temperature 175 °C Short circuit withstand time ­ 5µs Designed for : - Frequency Converters - Uninterruptible Power Supply ® TrenchStop and ...
  • Datasheet IKW30N60H3 - Infineon Даташит IGBT+ DIODE, 600 В, 20 А, TO247
    Наименование модели: IKW30N60H3 Производитель: Infineon Описание: IGBT+ DIODE, 600 В, 20 А, TO247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: !#$%&$ # &$$' () * !#$%&$ # Спецификации: Тип транзистора: IGBT DC Collector Current: 30 А Collector Emitter Voltage Vces: 2.4 В Power Dissipation Max: 187 Вт Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В Operating Temperature Range: -40°C to +175°C Корпус транзистора: TO-247 Количество выводов: 3 RoHS: есть Дополнительные аксессуары: Fischer Elektronik ...

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники