Для достижения наилучших характеристик на системном уровне от конструкций современных систем питания требуются высокие значения удельной мощности и малые размеры. Infineon Technologies решает эту проблему, уделяя повышенное внимание системным инновациям с усовершенствованиями на уровне компонентов. В дополнение к 25-вольтовому устройству, представленному в феврале, теперь Infineon выводит на рынок 40-вольтовый низковольтный силовой MOSFET IQE013N04LM6 семейства OptiMOS. Прибор упаковывается в ...
Низковольтный силовой полевой МОП-транзистор OptiMOS 40 В в корпусе PQFN 3.3x3.3 Source-Down с ведущим в отрасли R DS (on) Infineon расширил свое инновационное семейство Source-Down, добавив IQE013N04LM6 1,35 мОм, 40 В в корпусе 3,3x3,3 PQFN. Этот лучший в своем классе силовой полевой МОП-транзистор оптимизирует работу конечных пользователей, бросая вызов существующему положению дел в области плотности мощности и форм-фактора. Одна из целей при проектировании электроинструмента - ...
Низковольтный силовой полевой МОП-транзистор OptiMOS 40 В в корпусе PQFN 3.3x3.3 Source-Down с ведущим в отрасли R DS (on) Infineon расширил свое инновационное семейство Source-Down, добавив IQE013N04LM6 1,35 мОм, 40 В в корпусе 3,3x3,3 PQFN. Этот лучший в своем классе силовой полевой МОП-транзистор оптимизирует работу конечных пользователей, бросая вызов существующему положению дел в области плотности мощности и форм-фактора. Одна из целей при проектировании электроинструмента - ...