 |
Поиск datasheet электронных компонентов |
| en |
Поиск по: IQE013N04LM6CGATMA1
 Купить IQE013N04LM6CGATMA1 на РадиоЛоцман.Цены — от 32 до 205 ₽26 предложений от 10 поставщиков Полупроводники - Дискретные |
Информация по: IQE013N04LM6CGATMA1
- Datasheet Infineon IQE013N04LM6CGATMA1Низковольтный силовой полевой МОП-транзистор OptiMOS 40 В в корпусе PQFN 3.3x3.3 Source-Down с центральным затвором и лучшим в отрасли RDS (вкл.) IQE013N04LM6CG расширяет инновационное семейство Source-Down за счет 1.35mOhm, OptiMOS power MOSFET 40V в корпусе 3.3x3.3 PQFN Source-Down Center-Gate. Этот лучший в своем классе силовой полевой МОП-транзистор бросает вызов существующему положению дел в области плотности мощности и форм-фактора в конечном приложении. Одна из целей при проектировании ...
Новое в электронике
- Вышел электронный журнал «РадиоЛоцман» 2025, 03-04
- Цифровые потенциометры программируют биквадратный фильтр
- Резидент ОЭЗ «Технополис Москва» изготовил головное устройство для электромобиля
- Диджитайзеры от резидента Сколково ускорят проведение научных исследований в России
Остались вопросы?
- Форум по электронным компонентамПомощь экспертов в поиске даташитов и аналогов, вопросы применения.
- Производители электронных компонентовЧипы, транзисторы, диоды, конденсаторы, резисторы.
- Каталог сайтов по электронным компонентамЧипы, транзисторы, диоды, конденсаторы, резисторы.
