Поиск datasheet электронных компонентов

Поиск по: IRF120

17 предложений от 17 поставщиков
, Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA

Информация по: IRF120

  • Datasheet New Jersey Semiconductor IRF120
    Силовые N-канальные МОП-транзисторы, 11 А, 60 100 В Эти устройства представляют собой n-канальные силовые полевые МОП-транзисторы с режимом расширения, разработанные специально для высокоскоростных приложений, таких как импульсные источники питания, преобразователи, устройства управления двигателями переменного и постоянного тока, драйверы реле и соленоидов и другие импульсные схемы. ...

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники