 |
Поиск datasheet электронных компонентов |
| en |
Поиск по: IRF5210S
 Купить IRF5210S на РадиоЛоцман.Цены — от 7.21 до 795 ₽79 предложений от 37 поставщиков Акция! / MOSFET, Тип проводимости,P, Макс. напряжение сток-исток, В,-100, Максимальный ток стока (при Ta=25C), А,-38, Мин. Сопр. открытого канала, мОм,60, Емкость, пФ,2780, Заряд затвора, нКл,230, Описание,MOSFET MOSFT PCh -100V -0.4A 60mOhm 120nC, Напряжение,пороговое затвора (Vgs th) - 2В |
Информация по: IRF5210S
- IRF5210SDatasheet International Rectifier IRF5210S Силовые полевые транзисторы (MOSFET) IR International Rectifier Ltd.
- Datasheet Infineon IRF5210S
- Datasheet IRF5210LPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, P, 100 В, 40 А TO262Наименование модели: IRF5210LPBF Производитель: International Rectifier Описание: Полевой транзистор, P, 100 В, 40 А TO262 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD - 91405C IRF5210S/L HEXFET® Power MOSFET Advanced Process Technology Surface Mount (IRF5210S) l Low-profile through-hole (IRF5210L) l 175°C Operating Temperature l Fast Switching l P-Channel l Fully Avalanche Rated Description l l Спецификации: Полярность транзистора: P Channel Continuous Drain Current Id: 40 А Drain ...
Новое в электронике
- Вышел электронный журнал «РадиоЛоцман» 2025, 03-04
- Цифровые потенциометры программируют биквадратный фильтр
- Резидент ОЭЗ «Технополис Москва» изготовил головное устройство для электромобиля
- Диджитайзеры от резидента Сколково ускорят проведение научных исследований в России
Остались вопросы?
- Форум по электронным компонентамПомощь экспертов в поиске даташитов и аналогов, вопросы применения.
- Производители электронных компонентовЧипы, транзисторы, диоды, конденсаторы, резисторы.
- Каталог сайтов по электронным компонентамЧипы, транзисторы, диоды, конденсаторы, резисторы.
