Поиск datasheet электронных компонентов

Поиск по: IRF640

95 предложений от 41 поставщиков
MOSFET, Тип проводимости,N, Макс. напряжение сток-исток, В,200, Максимальный ток стока (при Ta=25C), А,18, Мин. Сопр. открытого канала, мОм,150, Заряд затвора, нКл,67, Описание,200V, 18A N-Channel MOSFET, Напряжение,пороговое затвора (Vgs th) - 2В, Раб. темп.,-55…+175 °С

Информация по: IRF640

  • IRF640
    Datasheet International Rectifier IRF640 Силовые полевые транзисторы (MOSFET) IR International Rectifier Ltd.
  • IRF640 PBF
    Datasheet STMicroelectronics IRF640 PBF Силовые полевые транзисторы (MOSFET)ST ST MICROELECTRONICS STM SGS-THOMSON Microelectronics
  • Datasheet Vishay IRF640
    Силовой MOSFET Мощные МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay обеспечивают разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и экономической эффективности. Корпус TO-220AB повсеместно предпочтителен для всех коммерческих и промышленных приложений при уровне рассеиваемой мощности примерно до 50 Вт. Низкое тепловое сопротивление и низкая стоимость корпуса TO-220AB способствуют его широкому распространению в ...

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники