Поиск datasheet электронных компонентов

Поиск по: IRF640

92 предложений от 38 поставщиков
Транзисторы разные.Тип: MOSFETТип проводимости: NМаксимальное напряжение сток-исток, В: 200Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 18Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 150Заряд затвора, нКл: 67Описание: 200V, 18A N-Channel MOSFETНапряжение: пороговое затвора (Vgs th) - 2ВДиапазон рабочих температур: -55…+175 °СМаксимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs)...

Информация по: IRF640

  • IRF640
    Datasheet International Rectifier IRF640 Силовые полевые транзисторы (MOSFET) IR International Rectifier Ltd.
  • IRF640 PBF
    Datasheet STMicroelectronics IRF640 PBF Силовые полевые транзисторы (MOSFET)ST ST MICROELECTRONICS STM SGS-THOMSON Microelectronics
  • Datasheet Vishay IRF640
    Силовой MOSFET Мощные МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay обеспечивают разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и экономической эффективности. Корпус TO-220AB повсеместно предпочтителен для всех коммерческих и промышленных приложений при уровне рассеиваемой мощности примерно до 50 Вт. Низкое тепловое сопротивление и низкая стоимость корпуса TO-220AB способствуют его широкому распространению в ...

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники