Поиск datasheet электронных компонентов

Поиск по: IRF640N

50 предложений от 30 поставщиков
Транзисторы разные.Тип: MOSFETТип проводимости: NМаксимальное напряжение сток-исток, В: 200Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 18Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 150Емкость, пФ: 1200Заряд затвора, нКл: 38Диапазон рабочих температур: -55…+150 °СВес брутто: 2.98Транспортная упаковка: размер/кол-во: 59*33*18/2000Способ монтажа: Through HoleКорпус: TO-220Упаковка: TUBE, 50 шт....

Информация по: IRF640N

  • IRF640N
    Datasheet International Rectifier IRF640N Силовые полевые транзисторы (MOSFET) IR International Rectifier Ltd.
  • Datasheet IRF640NPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, 200 В, 18 А, TO-220
    Наименование модели: IRF640NPBF Производитель: International Rectifier Описание: Полевой транзистор, N, 200 В, 18 А, TO-220 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD - 94006A Advanced Process Technology l Dynamic dv/dt Rating l 175°C Operating Temperature l Fast Switching l Fully Avalanche Rated l Ease of Paralleling l Simple Drive Requirements Description l IRF640N IRF640NS IRF640NL HEXFET® Power MOSFET Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 18 ...
  • Новые N-канальные MOSFET-транзисторы в корпусах общепромышленного стандарта
    Олег Стариков (КОМПЭЛ), Андрей Никитин Компания International Rectifier (IR) является признанным мировым лидером в разработке и производстве MOSFET-транзисторов. Отличительной особенностью MOSFET-транзисторов последних лет является сочетание ультранизкого сопротивления открытого канала и высокие динамические характеристики. В статье рассматриваются новые изделия, пополнившие линейку N-канальных MOSFET в последнее время. Выпускаемые в течение последних лет MOSFET-транзисторы в корпусах с ...

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники