Поиск datasheet электронных компонентов
  en

Поиск по: IRF640NPBF

63 предложений от 28 поставщиков
MOSFET, Тип проводимости,N, Макс. напряжение сток-исток, В,200, Максимальный ток стока (при Ta=25C), А,18, Мин. Сопр. открытого канала, мОм,150, Заряд затвора, нКл,67, Описание,200V, 18A N-Channel MOSFET, Напряжение,пороговое затвора (Vgs th) - 2В, Раб. темп.,-55…+175 °С

Информация по: IRF640NPBF

  • Datasheet IRF640NPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, 200 В, 18 А, TO-220
    Наименование модели: IRF640NPBF Производитель: International Rectifier Описание: Полевой транзистор, N, 200 В, 18 А, TO-220 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD - 94006A Advanced Process Technology l Dynamic dv/dt Rating l 175°C Operating Temperature l Fast Switching l Fully Avalanche Rated l Ease of Paralleling l Simple Drive Requirements Description l IRF640N IRF640NS IRF640NL HEXFET® Power MOSFET Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 18 ...
  • Datasheet IRF640NSTRLPBF - International Rectifier Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 200 В, 18 А, D2-PAK
    Наименование модели: IRF640NSTRLPBF Производитель: International Rectifier Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 200 В, 18 А, D2-PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD - 95046A Advanced Process Technology l Dynamic dv/dt Rating l 175°C Operating Temperature l Fast Switching l Fully Avalanche Rated l Ease of Paralleling l Simple Drive Requirements l Lead-Free Description l IRF640NPbF IRF640NSPbF IRF640NLPbF HEXFET® Power MOSFET Данные для моделирования Спецификации: ...

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники