Поиск datasheet электронных компонентов

Поиск по: IRF640NS

56 предложений от 34 поставщиков
Транзисторы разные.Тип: MOSFETТип проводимости: NМаксимальное напряжение сток-исток, В: 200Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 18Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 155Емкость, пФ: 1470Диапазон рабочих температур: -55…+150 °СВес брутто: 2.95Способ монтажа: Through HoleКорпус: TO-220Упаковка: TUBE, 50 шт.

Информация по: IRF640NS

  • IRF640NS
    Datasheet International Rectifier IRF640NS Силовые полевые транзисторы (MOSFET) IR International Rectifier Ltd.
  • Datasheet IRF640NPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, 200 В, 18 А, TO-220
    Наименование модели: IRF640NPBF Производитель: International Rectifier Описание: Полевой транзистор, N, 200 В, 18 А, TO-220 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD - 94006A Advanced Process Technology l Dynamic dv/dt Rating l 175°C Operating Temperature l Fast Switching l Fully Avalanche Rated l Ease of Paralleling l Simple Drive Requirements Description l IRF640N IRF640NS IRF640NL HEXFET® Power MOSFET Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 18 ...
  • Datasheet IRF640NSPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, 200 В, 18 А, D2-PAK
    Наименование модели: IRF640NSPBF Производитель: International Rectifier Описание: Полевой транзистор, N, 200 В, 18 А, D2-PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD - 94006A Advanced Process Technology l Dynamic dv/dt Rating l 175°C Operating Temperature l Fast Switching l Fully Avalanche Rated l Ease of Paralleling l Simple Drive Requirements Description l IRF640N IRF640NS IRF640NL HEXFET® Power MOSFET Данные для моделирования Спецификации: Полярность транзистора: N Channel ...

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники