Поиск datasheet электронных компонентов

Поиск по: IRFB3306PBF

48 предложений от 21 поставщиков
MOSFET, N, 60V, TO-220AB; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:60V; Current, Id Cont:160A; Resistance, Rds On:0.0042ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Base Number:3306; Charge, Gate N-channel:85nC; Current, Idm Pulse:620A; Pins, No....

Информация по: IRFB3306PBF

  • Datasheet IRFB3306PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, 60 В, TO-220AB
    Наименование модели: IRFB3306PBF Производитель: International Rectifier Описание: Полевой транзистор, N, 60 В, TO-220AB Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD - 97098B IRFB3306PbF IRFS3306PbF IRFSL3306PbF HEXFET® Power MOSFET Applications l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS l Uninterruptible Power Supply l High Speed Power Switching l Hard Switched and High Frequency Circuits G Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness l Fully Characterized ...
  • Datasheet Infineon IRFB3306PBF
  • Datasheet IRFS3306PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, 60 В, D2-PAK
    Наименование модели: IRFS3306PBF Производитель: International Rectifier Описание: Полевой транзистор, N, 60 В, D2-PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD - 97098B IRFB3306PbF IRFS3306PbF IRFSL3306PbF HEXFET® Power MOSFET Applications l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS l Uninterruptible Power Supply l High Speed Power Switching l Hard Switched and High Frequency Circuits G Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness l Fully Characterized ...

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники