Поиск datasheet электронных компонентов
  en

Поиск по: IRFD110-ND

48 предложений от 30 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 1 А, 0.54 Ом, DIP, Through Hole

Информация по: IRFD110-ND

  • Импульсный выходной сигнал повышает безопасность системы
    Многие электронные системы управления имеют цифровые выходы, в которых используются транзисторы. Одним из способов повышения безопасности этих выходов является представление высокого логического уровня не фиксированным значением напряжения, а импульсным сигналом (Рисунок 1). Этот тип сигнала, динамическая переменная , может управлять схемой, показанной на Рисунке 2. Схема подключается к выходному транзистору электронной системы управления. Сигнал динамической переменной подключается к ...
  • Datasheet Vishay IRFD110
    Силовой MOSFET Мощные МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay обеспечивают разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и экономической эффективности. 4-контактный DIP-корпус представляет собой недорогой корпус, вставляемый в машину, который можно устанавливать в несколько комбинаций на стандартные центры контактов 0,1 дюйма. Двойной сток служит тепловым соединением с монтажной поверхностью для ...
  • Наследие IR: мощные МОП-транзисторы HEXFET
    К. Староверов Новости Электроники 12, 2008 В статье приводится обзор производственной линии мощных МОП-транзисторов HEXFET, приобретенной Vishay у International Rectifier, а также даются общие рекомендации по выбору и возможным применениям различных групп транзисторов. Оценивая масштабы использования МОП-технологий в современной электронной технике, сейчас трудно представить, сколь драматична была история их становления, ведь даже через 30 лет после выхода в конце 1920-х годов первых ...

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники