Евгений Звонарев Новости Электроники 18, 2008 Новая серия мощных МОП-транзисторов IRFP4xxx компании International Rectifier (IR) с ультранизким сопротивлением канала позволяет существенно повысить КПД преобразования электрической энергии и значительно сократить потери проводимости в конверторах. Отличительная особенность новой серии IRFP4xxx, производимой по новейшей технологии Trench HEXFET Power MOSFETs, - уменьшенное сопротивление Rds(on) до 2,5 раз по сравнению с транзисторами предыдущего ...
Наименование модели: IRFP140NPBF Производитель: International Rectifier Описание: Полевой транзистор, N Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD - 91343B IRFP140N HEXFET® Power MOSFET l l l l l Advanced Process Technology Dynamic dv/dt Rating 175°C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanche Rated Данные для моделирования Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 33 А Drain Source Voltage Vds: 100 В On Resistance Rds(on): 52 МОм Rds(on) ...