Поиск datasheet электронных компонентов
  en

Поиск по: IRFP362

7 предложений от 7 поставщиков
, Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 400V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247

Информация по: IRFP362

  • Datasheet New Jersey Semiconductor IRFP362
    Trans MOSFET N-CH 400 В 23 А 3-контактный (3+Tab) TO-247AD
  • Двуханодный MOSFET тиристор
    Журнал РАДИОЛОЦМАН, июнь 2018 Михаил Шустов, Андрей Шустов, г. Томск Предложена схема двуханодного MOSFET тиристора, обладающего повышенным быстродействием, высоким входным сопротивлением и исключительно малыми потерями Тиристорные (симисторные) коммутаторы нагрузки в силу неустранимых конструкционных особенностей отличаются высоким катод-анодным падением напряжения на них в открытом состоянии и низким быстродействием. В этой связи на подобных коммутирующих элементах рассеивается значительная ...
  • Обсуждение: Двуханодный MOSFET тиристор
    Подробнее: Двуханодный MOSFET тиристор Приветствую! Как рассчитать R1, R2, R3? На Рисунке 1 приведена обобщенная схема, без указания номиналов. Конкретные данные для одного из вариантов схем приведены на Рисунке 3. Для этой схемы номиналы резисторов R3 и R4 не критичны, могут быть в пределах от 10 до 100 кОм в зависимости от величины питающего напряжения. Формально они в сочетании со стабилитронами VD3 и VD4 необходимы для обеспечения защиты транзисторов от повышенного напряжения, снимаемого с ...

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники