Поиск datasheet электронных компонентов

Поиск по: IRFR024

89 предложений от 39 поставщиков
Транзисторы разные.Тип: MOSFETТип проводимости: NМаксимальное напряжение сток-исток, В: 60Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 20Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 36Емкость, пФ: 1150Заряд затвора, нКл: 20,3Диапазон рабочих температур: -55…+150 °СВес брутто: 0.52Транспортная упаковка: размер/кол-во: 41*41*39/10000Способ монтажа: поверхностный (SMT)Корпус: TO-252 (DPAK)Упаковка: REEL, 2500...

Информация по: IRFR024

  • IRFR024
    Datasheet International Rectifier IRFR024 Силовые полевые транзисторы (MOSFET) IR International Rectifier Ltd.
  • Микросхема изолированного драйвера MOSFET транзисторов обеспечивает улучшение эффективности работы на небольшую нагрузку
    Многие мощные MOSFET транзисторы достигают низких значений сопротивления открытого состояния при напряжении 5 В, даже в случае, если напряжение затвор-исток составляет 5 В. Для очень мощных MOSFET транзисторов, особенно IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором) транзисторов, инженеры предпочитают использовать напряжение затвор-исток в диапазоне от 12 до 15 В, так как сопротивление открытого состояния продолжает снижаться при повышении этого напряжения. Например, IRFR024 , мощный ...
  • IRFR024N
    Datasheet International Rectifier IRFR024N Силовые полевые транзисторы (MOSFET) IR International Rectifier Ltd.

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники