Infineon Technologies расширяет свое семейство IGBT, изготавливаемых на тонких пластинах по технологии TRENCHSTOP 5. В новое семейство приборов с интегрированными 40-амперными антипараллельными диодами вошли IGBT с допустимыми токами до 40 А и напряжениями до 650 В. Транзисторы предлагаются в корпусах для поверхностного монтажа TO-263-3, известных также под обозначением D2PAK. Новые транзисторы обеспечат растущий спрос на силовые устройства повышенной мощности и эффективности для ...