Поиск datasheet электронных компонентов
  en

Поиск по: IRG7PH35UD1PBF

14 предложений от 13 поставщиков
Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 179000mW 3Pin(3+Tab) TO-247AC Tube

Информация по: IRG7PH35UD1PBF

  • Datasheet IRG7PH35UD1PBF - International Rectifier Даташит IGBT, N CH, диод, 1200 В, 50 А, TO-247AC
    Наименование модели: IRG7PH35UD1PBF Производитель: International Rectifier Описание: IGBT, N CH, диод, 1200 В, 50 А, TO-247AC Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD - 97455 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE FOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONS IRG7PH35UD1PbF IRG7PH35UD1-EP VCES = 1200V I NOMINAL = 20A Features Спецификации: Тип транзистора: IGBT DC Collector Current: 50 А Collector Emitter Voltage Vces: 1.9 В Collector Emitter Voltage ...
  • International Rectifier представила эффективный, надежный IGBT транзистор для приложений индукционного нагрева
    International Rectifier представила пару эффективных, надежных сверхбыстродействующих IGBT транзисторов, оптимизированных для аппаратуры индукционного нагрева и преобразователей с резонансным переключением, таких, например, как сварочное оборудование и выпрямители большой мощности. При изготовлении 1200-вольтовых транзисторов используется отработанная Trench технология на тонких пластинах, обеспечивающая малое напряжение V CE(ON) и сверхбыстрое переключение, позволяющая снизить тепловые потери ...

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники