Наименование модели: IXGA30N60C3C1 Производитель: IXYS Описание: IGBT,600V,30A,TO-263 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: Preliminary Technical Information GenX3TM 600V IGBT w/ SiC Anti-Parallel Diode IXGA30N60C3C1 IXGP30N60C3C1 IXGH30N60C3C1 VCES IC110 VCE(sat) tfi(typ) = = = Спецификации: Тип транзистора: IGBT DC Collector Current: 60 А Collector Emitter Voltage Vces: 3 В Power Dissipation Max: 220 Вт Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В Operating Temperature Range: -55°C ...
Наименование модели: IXGH30N60C3C1 Производитель: IXYS Описание: IGBT,600V,30A,TO-247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: Preliminary Technical Information GenX3TM 600V IGBT w/ SiC Anti-Parallel Diode IXGA30N60C3C1 IXGP30N60C3C1 IXGH30N60C3C1 VCES IC110 VCE(sat) tfi(typ) = = = Спецификации: Тип транзистора: IGBT DC Collector Current: 60 А Collector Emitter Voltage Vces: 3 В Power Dissipation Max: 220 Вт Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В Operating Temperature Range: -55°C ...
Наименование модели: IXGP30N60C3C1 Производитель: IXYS Описание: IGBT,600V,30A,TO-220 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: Preliminary Technical Information GenX3TM 600V IGBT w/ SiC Anti-Parallel Diode IXGA30N60C3C1 IXGP30N60C3C1 IXGH30N60C3C1 VCES IC110 VCE(sat) tfi(typ) = = = Спецификации: Тип транзистора: IGBT DC Collector Current: 60 А Collector Emitter Voltage Vces: 3 В Power Dissipation Max: 220 Вт Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В Operating Temperature Range: -55°C ...