Поиск datasheet электронных компонентов

Поиск по: IXGH30N60

19 предложений от 18 поставщиков
IGBT 600V 60A 200W TO247AD / IGBT 600 V 60 A 200 W Through Hole TO-247AD

Информация по: IXGH30N60

  • Datasheet IXGA30N60C3C1 - IXYS Даташит IGBT,600V,30A,TO-263
    Наименование модели: IXGA30N60C3C1 Производитель: IXYS Описание: IGBT,600V,30A,TO-263 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: Preliminary Technical Information GenX3TM 600V IGBT w/ SiC Anti-Parallel Diode IXGA30N60C3C1 IXGP30N60C3C1 IXGH30N60C3C1 VCES IC110 VCE(sat) tfi(typ) = = = Спецификации: Тип транзистора: IGBT DC Collector Current: 60 А Collector Emitter Voltage Vces: 3 В Power Dissipation Max: 220 Вт Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В Operating Temperature Range: -55°C ...
  • Datasheet IXGH30N60C3C1 - IXYS Даташит IGBT,600V,30A,TO-247
    Наименование модели: IXGH30N60C3C1 Производитель: IXYS Описание: IGBT,600V,30A,TO-247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: Preliminary Technical Information GenX3TM 600V IGBT w/ SiC Anti-Parallel Diode IXGA30N60C3C1 IXGP30N60C3C1 IXGH30N60C3C1 VCES IC110 VCE(sat) tfi(typ) = = = Спецификации: Тип транзистора: IGBT DC Collector Current: 60 А Collector Emitter Voltage Vces: 3 В Power Dissipation Max: 220 Вт Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В Operating Temperature Range: -55°C ...
  • Datasheet IXGP30N60C3C1 - IXYS Даташит IGBT,600V,30A,TO-220
    Наименование модели: IXGP30N60C3C1 Производитель: IXYS Описание: IGBT,600V,30A,TO-220 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: Preliminary Technical Information GenX3TM 600V IGBT w/ SiC Anti-Parallel Diode IXGA30N60C3C1 IXGP30N60C3C1 IXGH30N60C3C1 VCES IC110 VCE(sat) tfi(typ) = = = Спецификации: Тип транзистора: IGBT DC Collector Current: 60 А Collector Emitter Voltage Vces: 3 В Power Dissipation Max: 220 Вт Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В Operating Temperature Range: -55°C ...

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники